收藏本站
New Product
SiA448DJ
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS (25 °C, unless otherwise noted)
100
0.030
I D = 12.4 A
10
1
0.1
T J = 150 ° C
0.024
0.018
0.012
0.006
T J = 125 ° C
T J = 25 ° C
0.0
0.2
0.4 0.6 0.8 1.0
1.2
0
1 2 3 4
5
V SD - Source-to-Drain Voltage (V)
Soure-Drain Diode Forward Voltage
V GS - Gate-to-Source Voltage (V)
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
0.8
I D = 250 μA
30
25
0.6
20
0.4
15
10
0.2
5
0
0
- 50
- 25
0
25 50 75 100
125
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
T J - Temperature ( ° C)
Threshold Voltage
100
10
1
0.1
Limited by R DS(on) *
T A = 25 ° C
Single Pulse
BVDSS Limited
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100 μs
1 ms
10 ms
100 ms
1s
10 s
DC
0.01
0.1
1 10 100
V DS - Drain-to-Source Voltage (V)
* V GS > minimum V GS at which R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
For technical questions, contact: pmostechsupport@vishay.com
Document Number: 63918
S12-1138-Rev. A, 21-May-12
This document is subject to change without notice.
THE PRODUCTS DESCRIBED HEREIN AND THIS DOCUMENT ARE SUBJECT TO SPECIFIC DISCLAIMERS, SET FORTH AT www.vishay.com/doc?91000
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。

采购需求

(若只采购一条型号，填写一行即可)

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

发布成功！您可以继续发布采购。也可以进入我的后台，查看报价

*型号 *数量 厂商 批号 封装
添加更多采购

我的联系方式

*
*
*
相关PDF资料
SIA461DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 12A SC706L
SIA511DJ-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 12V PWRPAK SC70-6
SIA513DJ-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK SC70-6
SIA533EDJ-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC70-6
SIA777EDJ-T1-GE3 MOSFET N/P-CH 20V PPAK SC70-6L
SIA811DJ-T1-GE3 MOSFET P-CH 20V 4.5A SC70-6
SIA814DJ-T1-GE3 MOSFET N-CH 30V 4.5A SC70-6
SIA911EDJ-T1-GE3 MOSFET P-CH DL 20V PWRPAK SC70-6
相关代理商/技术参数
SIA449DJ 制造商:VISHAY 制造商全称:Vishay Siliconix 功能描述:P-Channel 30 V (D-S) MOSFET
SIA449DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET -30V 20mOhm@10V 12A P-Ch G-III RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA450DJ-T1-E3 功能描述:MOSFET 240V 290mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA450DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 240V 290mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA456DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET 200V 2.6A 19W 1.38ohm @ 4.5V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA459EDJ-T1-GE3 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET P-CH 20V 7.4A D-S SC70
SIA461DJ-T1-GE3 功能描述:MOSFET -20V -12A 17.9W 33mohm @ 10V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
SIA462DJ-T1-GE3 制造商:Vishay Semiconductors 功能描述:MOSFETS - Tape and Reel 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:MOSFET 30V 18mOhm@10V 12A N-Ch 制造商:Vishay Intertechnologies 功能描述:N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET